Nhóm nghiên cứu đã hình thành một lớp oxit nhôm cực kỳ mỏng, chỉ dày 1,25 nanomet trên bề mặt nhôm đơn tinh thể ở nhiệt độ môi trường bằng phương pháp oxy hóa độc đáo. Vật liệu mới này có độ bền điện môi cao. Đây là thước đo khả năng của vật liệu chịu được điện áp cao mà không gây ra sự cố điện, đủ đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt do Lộ trình Quốc tế về Thiết bị và Hệ thống thiết lập. Phát minh này ngoài tiềm năng cải thiện đáng kể hiệu quả sử dụng năng lượng trong chip máy tính, còn có thể giúp kéo dài tuổi thọ pin của điện thoại thông minh.
Trong thời gian vừa qua, việc thiếu vật liệu điện môi chất lượng cao cản trở toàn bộ tính hiệu quả của hiệu ứng trường silicon hai chiều (FET 2D). Các chất điện môi oxit vô định hình thông thường như SiO2, Al2O3 và HfO2 không tạo ra được giao diện trơn tru với vật liệu 2D, dẫn đến cường độ điện môi thấp. Theo nghiên cứu của các nhà khoa học Trung Quốc, các oxit kim loại mỏng nguyên tử đã cho thấy triển vọng do các đặc tính độc đáo. Những vật liệu này có thể dễ dàng được hình thành trên bề mặt kim loại, cung cấp các đặc tính điện môi và bề mặt phẳng đầy đủ, có khả năng khắc phục các hạn chế về dòng điện trong FET 2D.
